Publications

• F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot, 1993, ''Growth and characterization of n-type (Te) doped Metal Organic Vapor Phase Epitaxy GaInSb", J. Electrochem. Soc., Vol. 140, N8, 2406.
• A. Aardvark, G.G. Allogho, G. Bougnot, J.P.R. David, A. Giani, S.K. Haywood, G. Hill, P.C. Klipstein, F. Mansoor, N.J. MAson, R.J. Nicholas, F. Pascal-Dellanoy, M. Pate, L. Ponnamplam, P.J. Walker, 1993, ''Devices and desires in the 2-4μm region based on untimony-containing III-V heterostructures grown by MOVPE", Semicond. Sci. and Tech., 8, 380.
• F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, N.J. Mason, P.J. Walker, J. Bougnot, A. Giani, 1992, ''InGaSb/GaSb photodiodesgrown by MOVPE", J. of Crystal Growth, 124, 409.
• F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, L. Gouskov, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot, 1992, ''MOVPE grown Ga0.6In0.4Sb photodiodes for 2.55 μm detection", Electronics Letters, Vol. 28, N6, 531
• G. Bougnot, F. Pascal-Delannoy, G.G. Allogho, J. Bougnot, J. Kaoukab, A. Giani, B. Mbow, 1991, ''Growth and characterization of metalorganic vapour phase epitaxial Ga1-xInxAsySb1-y quaternary layers", Materila Science and Engineering, B9, 121.

Communications en Congrès

• A Joullié, P. Gruberg, C. Fouillant, J.L. Leclercq, J.L. Lazzari, S. Sadik, G. Boissier, C. Alibert, G. Bougnot, G.G. Allogho, F. Pascal-Dellanoy, L. Gouskov, J. Bougnot, A. Giani ''Réalisation de sources et détecteurs à GaInAsSb pour transmissions moyen infrarouges", 4ièmes Journées Nationales de Microélectornique et Optoélectronique III-V, 21-23 Octobre 1992, La Grande-Motte.
• F. Pascal-Dellanoy, N.J. Mason, G.G. Allogho, P.J. Walker, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot ''Nouveaux développements sur les photodétecteurs à GaInSb", 4ièmes Journées Nationales de Microélectornique et Optoélectronique III-V, 21-23 Octobre 1992, La Grande-Motte.
• A. Giani, G. Bougnot, J. Kaoukab, J. Bougnot, G.G. Allogho, F. Pascal-Dellanoy ''First results on the p ans n doping of GaInSb alloys grown by MOCVD", 4th European Workshop on Matalorganic Vapor Phase Epitaxy, 5-7 June 1991, Nijmegen, Netherland.

Mémoires

• G.G. Allogho, ''Élaboration par E.P.V.O.M. d'un photodétecteur à Ga1-xInxSb et Ga1-xInxAsySb1-y pour télécommunications à plus de deux micromètres", Thèse de Doctorat, Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, France, 7 Juillet 1994.
• G.G. Allogho, ''Élaboration par Épitaxie en Phase Vapeur d'OrganoMétalliques, d'un photodétecteur à Ga1-xInxSb et Ga1-xInxAsySb1-y pour télécommunications par fibres optiques à 2.55 μm", Mémoire de D.E.A. , Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, France, 30 Juin 1990.