Guy-Germain Allogho

Bureau : 228 G2 (Faculté d'Ingénierie, Département de Génie Mécanique)
Téléphone : (506) 858-4385
Courriel : Guy-Germain.Allogho@umoncton.ca [1]
Recherche : Développement de matériaux chromogènes nanostructurés, pour applications aux fenêtres dites intelligentes.
Élaboration de photodétecteurs pour télécommunications par fibres optiques.
Cours : Faculté d'Ingénierie: Mécatronique (GMEC 4512), Servomécanismes (GMEC 5521)

Publications

F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot, 1993, ''Growth and characterization of n-type (Te) doped Metal Organic Vapor Phase Epitaxy GaInSb", J. Electrochem. Soc., Vol. 140, N8, 2406.
A. Aardvark, G.G. Allogho, G. Bougnot, J.P.R. David, A. Giani, S.K. Haywood, G. Hill, P.C. Klipstein, F. Mansoor, N.J. MAson, R.J. Nicholas, F. Pascal-Dellanoy, M. Pate, L. Ponnamplam, P.J. Walker, 1993, ''Devices and desires in the 2-4μm region based on untimony-containing III-V heterostructures grown by MOVPE", Semicond. Sci. and Tech., 8, 380.
F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, N.J. Mason, P.J. Walker, J. Bougnot, A. Giani, 1992, ''InGaSb/GaSb photodiodesgrown by MOVPE", J. of Crystal Growth, 124, 409.
F. Pascal-Dellanoy, G.G. Allogho, L. Gouskov, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot, 1992, ''MOVPE grown Ga0.6In0.4Sb photodiodes for 2.55 μm detection", Electronics Letters, Vol. 28, N6, 531
G. Bougnot, F. Pascal-Delannoy, G.G. Allogho, J. Bougnot, J. Kaoukab, A. Giani, B. Mbow, 1991, ''Growth and characterization of metalorganic vapour phase epitaxial Ga1-xInxAsySb1-y quaternary layers", Materila Science and Engineering, B9, 121.

Communications en Congrès

A Joullié, P. Gruberg, C. Fouillant, J.L. Leclercq, J.L. Lazzari, S. Sadik, G. Boissier, C. Alibert, G. Bougnot, G.G. Allogho, F. Pascal-Dellanoy, L. Gouskov, J. Bougnot, A. Giani ''Réalisation de sources et détecteurs à GaInAsSb pour transmissions moyen infrarouges", 4ièmes Journées Nationales de Microélectornique et Optoélectronique III-V, 21-23 Octobre 1992, La Grande-Motte.
F. Pascal-Dellanoy, N.J. Mason, G.G. Allogho, P.J. Walker, J. Bougnot, A. Giani, G. Bougnot ''Nouveaux développements sur les photodétecteurs à GaInSb", 4ièmes Journées Nationales de Microélectornique et Optoélectronique III-V, 21-23 Octobre 1992, La Grande-Motte.
A. Giani, G. Bougnot, J. Kaoukab, J. Bougnot, G.G. Allogho, F. Pascal-Dellanoy ''First results on the p ans n doping of GaInSb alloys grown by MOCVD", 4th European Workshop on Matalorganic Vapor Phase Epitaxy, 5-7 June 1991, Nijmegen, Netherland.

Mémoires

G.G. Allogho, ''Élaboration par E.P.V.O.M. d'un photodétecteur à Ga1-xInxSb et Ga1-xInxAsySb1-y pour télécommunications à plus de deux micromètres", Thèse de Doctorat, Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, France, 7 Juillet 1994.
G.G. Allogho, ''Élaboration par Épitaxie en Phase Vapeur d'OrganoMétalliques, d'un photodétecteur à Ga1-xInxSb et Ga1-xInxAsySb1-y pour télécommunications par fibres optiques à 2.55 μm", Mémoire de D.E.A. , Université de Montpellier II, Sciences et Techniques du Languedoc, France, 30 Juin 1990.